電子束曝光系統

CRESTEC CABL系列采用 的恒溫控制系統，使得整個主系統的溫度保持恒定，再加上主系統內部 傳感裝置，使得電子束電流穩定性，電子束定位穩定性，電子束電流分布均一性都得到了 的提高，其性能指標遠遠高于其它廠家的同類產品，在長達5小時的時間內，電子束電流和電子束定位非常穩定，電子束電流分布也非常均一。

由于EBL刻寫精度很高，因此寫滿整個Wafer需要比較長的時間，因此電子束電流，電子束定位， 電子束電流分布均一性在長時間內的穩定性就顯得尤為重要，這對大范圍內的圖形制備非常關鍵。

CRESTEC CABL系列采用其 的技術使其具有很高的電子束穩定性以及電子束定位精度，在大范圍內可以實現圖形的 拼接和套刻。

Stitching accuracy for slant L&S ＜10nm

該圖是在2英寸wafer上，采用50 um的圖案進行拼接，寫滿整個片子，其拼接精度低于10nm.（實驗室數據）。

CRESTEC CABL系列還可以加工制備10 nm以下的線條，無論半導體行業還是在其它領域

CRESTEC的電子束光刻產品都發揮了巨大的作用。

主要特點：

1.采用高亮度和高穩定性的TFE電子槍

2 電子束偏轉控制技術

3.采用場尺寸調制技術，電子束定位分辨率（address size)可達0.0012nm

4.采用軸對稱圖形書寫技術，圖形偏角分辨率可達0.01mrad

5.應用領域 ，如微納器件加工，Si/GaAs兼容工藝，研究用掩膜制造，納米加工（例如單電子器件 器件制作等），高頻電子器件中的混合光刻（Mix & Match），圖形線寬和圖形位移測量等。

電子束光刻CABL-9000C系列 小線寬可達8nm， 小束斑直徑2nm，套刻精度

20nm(mean+2σ)，拼接精度20nm(mean+2σ)。

技術參數：

1 小線寬：小于10nm（8nm available)

2.加速電壓：5-50kV

3.電 子 束 直 徑 ：小于 2nm

4.套刻精度：20nm(mean+2σ)

5.拼接精度：20nm(mean+2σ)

6.加工晶圓尺寸：4-8 英寸(standard)，12 英寸(option)

7.描電鏡分辨率：小于2nm

電子束光刻CABL-UH系列的型號包括：

CABL-UH90 (90keV)、CABL-UH110 (110keV)、CABL-UH130 (130keV)

技術參數：

加速電壓：130keV

單段加速能力達到130keV，盡量減少電子槍的長度超短電子槍長度，無微放電

電子束直徑＜1.6nm 小線寬＜7nm

雙熱控制，實現超穩定直寫能力

CABL-UH（130kV）系列

由于較高的加速電壓，EB抗蝕劑的前向散射較小。CABL-UH模型的準確度低于10 nm。您可以根據自己的需要選擇90kV，110kV或130kV。

光束直徑 lt;1.6nm

小線寬：7 nm（在130kV時）

加速電壓：130 kV，110 kV或90 kV

載物臺尺寸：8英寸晶圓（可以使用少于8英寸晶圓的任何其他晶圓）

我的特色

?Vacc：130kV（25-130kV，5kV步進）

?單級加速能力高達130kV，以 小化EOC尺寸

?無放電電子槍

?光束直徑 gt; 1.6nm

?細線能力 lt;7nm

?發射極和陽極之間的靜電透鏡設計為在消隱電極的中心實現非常低的像差和近距離交叉圖像

?使用雙熱控制器實現超穩定的寫入能力

規格

1.電子發射器：加速電壓TFE（ZrO / W）Z25?130kV

2.小光束直徑：小線寬1.6nm / 7.0nm

3.掃描方式矢量掃描（x，y）（標準）：矢量掃描（r，6），光柵掃描，點掃描（可選）

4.高級光刻功能（可選）場尺寸調制光刻，軸向對稱圖案光刻

5.字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr）Z，SOOpmZ，600pm3（標準）1200pmZi，2400pmZi（可選）

6.20,000 x20,000點，60,000 x 60，OO點，96,000 x 96，OO點，

像素數240,000x 240，OO點©矢量掃描（標準）

10,000xl0,000dot @ R3Ster掃描（可選）