WEMS 晶圓邊緣多尺度分析儀

一、日本 INTECS（株式會社インテックス）WEMS 晶圓邊緣多尺度分析儀 商品基礎基本信息

二、商品核心關鍵詞

標題關鍵詞：INTECS WEMS晶圓邊緣多尺度分析儀、8/12寸硅片邊緣輪廓精密測量設備

用途關鍵詞：半導體晶圓崩缺倒角幾何形貌檢測、硅片邊緣微觀缺陷多維度分析

功能關鍵詞：多尺度分層光學成像、伺服晶圓自動旋轉定位、邊緣輪廓/崩缺尺寸全自動解析

款式/材質關鍵詞：臺式緊湊型半導體精密檢測設備、高剛性減震合金光學平臺、無塵車間專用防靜電機身

擴展關鍵詞：半導體晶圓制造工藝研發、硅片出廠邊緣缺陷質檢專用設備

三、產品簡介

日本INTECS（株式會社インテックス）WEMS晶圓邊緣多尺度分析儀，是半導體行業專用8/12英寸硅片晶圓邊緣多尺度精密光學形貌、缺陷分析設備，采用多尺度分層光學成像技術，可同步實現宏觀整體輪廓、微觀局部細微缺陷兩種尺度同步采集，全自動完成晶圓外緣倒角輪廓、邊緣崩缺尺寸、邊緣微小凹凸、劃痕、研磨瑕疵等幾何參數與缺陷識別。

設備搭載高精度多尺度復合光學成像傳感模組，配套閉環伺服自動旋轉升降晶圓定位工裝，可自動抓取、水平360°旋轉、垂直升降硅片，無需人工手動夾持；多尺度光學系統可一鍵切換大范圍全局輪廓掃描、局部超高分辨率微觀放大成像兩種模式，同步采集完整晶圓邊緣全周幾何曲線與任意局部微觀缺陷形貌；整機配套工業觸控終端與專業晶圓分析電腦，可自定義多段式旋轉掃描速度、成像放大倍率、分段采集點位密度全自動測試工藝，設備本地自動存儲全部晶圓邊緣輪廓、缺陷原始成像數據，生成標準化晶圓邊緣幾何尺寸報表、崩缺缺陷分布圖、多尺度成像對比曲線。

出廠完成晶圓邊緣幾何尺寸測量重復精度、多尺度光學成像分辨率、伺服晶圓定位重復精度全項光學計量校準，滿足半導體晶圓研磨加工車間、硅片制造企業出廠質檢、微電子材料研發實驗室的硅片邊緣倒角輪廓、崩缺、微觀缺陷多維度精密檢測需求，是8/12英寸標準半導體晶圓制造工藝研發、成品出廠質檢行業標準多尺度邊緣分析設備。

四、核心工作原理

1. 多尺度分層復合光學成像基礎原理：設備內置雙光路復合光學傳感系統，一套光路負責低倍率全局大范圍掃描，獲取晶圓外緣完整360°宏觀輪廓曲線；另一套高倍率微觀成像光路，可自動切換至任意邊緣局部區域，實現超高分辨率微觀形貌成像；兩套光路同步采集，一次裝夾即可同時得到整圈邊緣幾何輪廓與局部細微缺陷微觀圖像，完成多維度多尺度綜合分析。

2. 閉環伺服晶圓自動定位旋轉原理：獨立閉環伺服垂直升降+水平360°旋轉驅動模組，配套專用防靜電真空硅片吸附工裝；設備自動完成硅片上料、垂直升降對焦、水平勻速旋轉掃描、下料全流程自動化，旋轉角度、升降高度、掃描運行速度均可觸控數字化精準設定，閉環實時反饋硅片旋轉位置，定位重復精度高，消除人工夾持帶來的定位偏差。

3. 晶圓邊緣幾何輪廓自動解析原理：全局低倍率光路采集完整晶圓外緣坐標曲線，軟件自動擬合標準圓形基準，計算晶圓邊緣倒角角度、倒角寬度、整體圓度、邊緣最大最小徑向輪廓偏差；針對局部微觀高倍率圖像，軟件自動識別邊緣崩缺、微小凹坑、劃痕、研磨凹凸瑕疵，自動測量崩缺長度、深度、缺陷面積等缺陷幾何尺寸參數。

4. 多尺度成像數據綜合存儲分析原理：設備本地大容量存儲單元自動保存每一片晶圓完整全周宏觀輪廓坐標、多組局部微觀缺陷成像原圖、對應旋轉角度、掃描時間、成像倍率全部原始數據；配套專業晶圓分析軟件可一鍵生成批量晶圓幾何尺寸統計報表、崩缺缺陷分布熱力圖、宏觀-微觀多尺度成像對比曲線，直觀判定單片/整批硅片邊緣各項參數是否符合工藝標準公差要求。