用于半導體的 Helios™ G4 HX DualBeam™

較*的成像、分析和 TEM 樣品制備用 DualBeam 平臺，用于半導體失效分析、工藝開發和工藝控制實驗室。

Helios G4 HX DualBeam 結合了業界、分辨率較高、對比度較高的 Elstar + UC SEM 與的 Phoenix FIB，可實現的成像和銑削性能。Helios G4 HX DualBeam 專為高通量、高質量、超薄 TEM 片晶制備而設計，配備了 FEI EasyLift EX 納米機械手和新型自動 QuickFlip 穿梭器，用于精確、準確、可重復的原位樣品提升和操作。當與 FEI iFast Starter Recipes 結合用于自動化 TEM 樣品制備時，即使是新手操作員也能夠自信地重復創建高質量、超薄的片晶。

Helios G4 HX DualBeam 旨在應對*半導體失效分析實驗室的挑戰。FEI Cell Navigator 使用自動樣本導航準確定位重復結構中的缺陷。這將使找到預期目標區域的成功率提高 5% 以上。此外，由 FEI EasyLift EX 納米機械手、新型 自動 QuickFlip 穿梭器和自動化軟件平臺 iFAST 實現的具有權的倒置 TEM 樣品制備方法，在業界提供了較高的通量。

橫截面成像

UC 單色儀技術的創新 Elstar 電子鏡筒為系統的高分辨率成像能力提供了基礎。這轉化為工作距離下 0.6 nm 和雙光束重合下 0.8 nm 的不受影響的 SEM 分辨率。高分辨率、低損傷電子束成像對于識別塊狀樣品內的缺陷或結構問題以及指向超薄 TEM 片晶至關重要。在非常低的著陸能量下操作，對于盡可能降低光束對敏感材料（如低 k 介電或光刻膠）的損傷也至關重要。