場發射透射電子顯微鏡

失效分析是在提高產品質量，技術開發、改進，產品修復及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義，是根據失效模式和現象，通過分析和驗證，模擬重現失效的現象，找出失效的原因，挖掘出失效的機理的活動。

我們為客戶提供的電靜檢測分析服務為：場發射環境掃描電子顯微鏡、鎢燈絲掃描電子顯微鏡、冷場發射掃描電子顯微鏡、透視電子顯微鏡、場發射透射電子顯微鏡。

型號：Tecnai G2 F20 S-Twin

廠家：美國FEI 公司

主要用途：

1.該電鏡是一臺功能*的材料分析型電子顯微鏡，廣泛應用于生物、醫藥、化工、金屬、半導體材料、高分子材料、陶瓷、納米材料等領域，可對材料的粒度、形貌、成分、內部結構和缺陷進行分析；

2.其配備的STEM/HAADF附件可以成和原子序數相關的像，和能譜儀結合還可以很方便的測量樣品微區元素的線分布和面分布，對于高分辨像的解析非常有利

3.像素高達2K×2K的CCD可以及時將電子顯微像轉換成數字照片進行輸出，方便用戶。

主要配置：

Gatan 894 CCD（2K×2K）

STEM/HAADF探測器

美國EDAX能譜儀

低劑量曝光

單傾樣品桿、雙傾樣品桿、低背景雙傾樣品桿

性能指標：

1.場發射電子槍

2.加速電壓：20-200 kV連續調節

3.放大倍數：25-1,000,000

4.點分辨率：0.24nm

5.線分辨率：0.102nm

6.信息分辨率:≤0.14nm

7.STEM分辨率：0.20 nm

8.STEM放大倍數:200-100,000,000

9.EDS分辨率:優于136 eV，分辨元素范圍B5-U92

10.MAX樣品傾角：±40°